技術(shù)編號：8788053
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 目前商業(yè)化多晶硅太陽電池工藝的去磷硅玻璃與邊緣刻蝕使用的是背腐蝕設(shè)備， 該設(shè)備的基本原理是將藥液置于藥液槽中，硅片隨滾輪依次在各槽中經(jīng)過以達(dá)到預(yù)期效 果，目前的背腐蝕設(shè)備中為防止藥液揮發(fā)，設(shè)備槽體上方加了一層平行蓋板，但由于藥液揮 發(fā)后會在蓋板內(nèi)側(cè)冷凝，冷凝的藥液會滴落到行進(jìn)中的硅片上，導(dǎo)致硅片的污染，從而降低 了背腐蝕的合格率。 實(shí)用新型內(nèi)容 為了解決上述存在的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種提高背腐蝕合格率的藥液 槽，具體的技術(shù)方案為 一種提高背腐蝕合...
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