技術編號：8845795
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在四氯化硅生產中需要對原料進行加熱，且需要的溫度較高，傳統(tǒng)的加熱方式是采用輻射爐，但輻射爐笨重，造價高，零部件多，結構復雜，且熱利用率低。后來又改用鑄造式加熱器供熱，但加熱器均勻布置功率，這樣會使得加熱器出口溫度處的部位溫度高，最容易受損。如能采用加熱元件澆筑在金屬內的方式，讓金屬鑄件整體發(fā)熱，對金屬鑄件內腔的介質進行熱傳導，則可以使熱利用率提高。但是由于生產工藝需要原料需要經過多段逐漸升溫的過程，以往是將保溫的單管道串接在各組加熱器之間，由于此結構，升溫...
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