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完全耗盡(FD)絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件具有若干優(yōu)點(diǎn)，例如，降低功耗和減小漏電等。由于能夠消除翹曲(Kink)效應(yīng)，所以FD SOI器件可以很好地抑制短溝道效應(yīng)并實(shí)現(xiàn)接近理想的亞閾值斜率。但是，F(xiàn)D SOI器件需要非常薄的SOI層，例如約10_20nm，以使其能夠完全耗盡。這導(dǎo)致在工藝中對(duì)SOI層厚度控制的困難且對(duì)于Si損耗過于敏感。此外，薄的SOI層增加了外部電阻，且因此降低了器件性能。實(shí)用新型內(nèi)容本公開的目的至少部分地在于提供...
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