技術(shù)編號(hào):89134
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料制造技術(shù)領(lǐng)域。最常用生長(zhǎng)半導(dǎo)體級(jí)硅單晶的方法是切氏法(CZ)和懸浮區(qū)熔法(FZ)。其中切氏法生長(zhǎng)的硅單晶的占有量約為總量的90%左右。切氏法硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程中、熔硅與石英坩堝的反應(yīng)產(chǎn)生SiO顆粒Si+SiO2→2SiO↑,在制造大直徑硅單晶時(shí),由于拉制時(shí)間長(zhǎng),每根單晶拉制時(shí)間常達(dá)10小時(shí)以上,使這一問(wèn)題尤為突出。無(wú)論在真空和正氬氣氛下,都無(wú)法避免在拉晶過(guò)程中SiO顆粒落入熔硅表面,而破壞了單晶持續(xù)生長(zhǎng)的穩(wěn)定性。1975年美國(guó)Varian公司報(bào)導(dǎo)了一種減壓充氬條件下的大型硅單晶拉制工藝,將硅晶體拉制...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。