技術(shù)編號:8938182
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池領(lǐng)域,尤其涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法。背景技術(shù)薄膜/晶硅異質(zhì)結(jié)(HIT)屬于第三代高效太陽能電池技術(shù),是一種利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池,其制造方法為利用PECVD在表面織構(gòu)化后的基片的正面沉積很薄的本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,然后在基片的背面沉積薄的本征非晶硅薄膜和η型非晶硅薄膜;利用濺射技術(shù)在電池的兩面沉積透明氧化物導(dǎo)電薄膜,用絲網(wǎng)印刷的方法在透明氧化物導(dǎo)電薄膜上制作Ag...
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