技術(shù)編號(hào):8944588
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要是關(guān)于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件,更確切地說(shuō),是涉及到一種用于超級(jí)結(jié)型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的終端區(qū)結(jié)構(gòu),并在終端區(qū)配置可實(shí)現(xiàn)電荷平衡的超級(jí)結(jié)布局結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管典型應(yīng)用于需要功率轉(zhuǎn)換和功率放大的器件中,例如典型的功率轉(zhuǎn)換器件就是雙擴(kuò)散DM0SFET。具本領(lǐng)域通常知識(shí)者皆知道,處于工作態(tài)的器件中大部分的擊穿電壓BV都由器件的漂移區(qū)或稱漂流區(qū)承載,如果試圖提供較高的擊穿電壓BV,漂移區(qū)通常需要輕摻雜濃...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。