技術(shù)編號：8944647
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。GaN材料由于具有大的禁帶寬度、高的熱導率、高電子飽和漂移速度和大的臨界擊穿電壓等特點而得以在光電子器件和高溫大功率電子器件等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，其研究與應(yīng)用是目前全球半導體領(lǐng)域研究的前沿和熱點。目前GaN主要在藍寶石、SiC和Si襯底上進行外延生長。在藍寶石和SiC襯底上已經(jīng)生長出了質(zhì)量相對較高的GaN材料并實現(xiàn)了光電子器件和高頻高功率器件的應(yīng)用，實現(xiàn)了產(chǎn)品的商業(yè)化。但是目前存在的問題是藍寶石和SiC襯底尤其是SiC襯底價格昂貴，并且難以實現(xiàn)大尺寸的...
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