技術(shù)編號：8944649
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。現(xiàn)今，發(fā)光二極管(LED)，特別是氮化物發(fā)光二極管因其較高的發(fā)光效率，在普通照明領(lǐng)域已取得廣泛的應(yīng)用。但是，由于氮化物發(fā)光二極管的同質(zhì)外延襯底價格昂貴且制備困難，一般采用藍寶石、硅、SiC等襯底進行異質(zhì)外延生長，而異質(zhì)外延生長因晶格失配，容易產(chǎn)生大量的位錯密度，導(dǎo)致器件的性能下降。為了降低位錯密度，可以采用腐蝕位錯的方法，將氮化鎵外延片的位錯去除，以降低非輻射復(fù)合中心。但是，在多量子阱生長完后，產(chǎn)生的位錯凹坑V-pits尺寸僅有幾十至幾百納米，酸性或堿性溶...
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