技術(shù)編號:8947114
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。作為在基板、例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱作“晶圓”)上進行成膜的方法,公知有被稱作 CVD (Chemical Vapor Deposit1n化學氣相沉積)法、ALD (Atomic Layer Deposit1n原子層沉積)法、MLD (Multi Layer Deposit1n多層沉積)法(以下,將原子層沉積法和多層沉積法統(tǒng)稱作ALD法)等方法,在CVD法中,將晶圓配置在形成有真空氣氛的處理容器內(nèi),使反應(yīng)氣體在晶圓的表面發(fā)生反應(yīng)而使堆積物堆積,在ALD法、M...
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