技術編號：8947116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。外延層是生長于結晶基板上的結晶膜。下面的基板作用為用于生長膜的模板，使得外延層的晶體學特性由下面的結晶基板所限定。亦即，結晶基板提供晶體學籽晶來用于外延生長。所述基板可為例如單晶硅、硅化鍺或SOI晶片。外延層的生長通常在外延沉積(Epi)腔室中使用化學氣相沉積(CVD)來實現(xiàn)。基板載入于CVD反應器中，隨后CVD反應器利用非反應氣體來清洗，諸如He、Ar、隊或H2。反應器的溫度漸漸上升，且載體氣體與反應氣體的混合物利用特定的流動動力學而引入反應器中。摻雜劑...
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