技術(shù)編號(hào):8947117
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于通過使得基板表面的至少一部分受到兩個(gè)或更多前體材料的交替表面反應(yīng)而處理基板的裝置。更特別是,本發(fā)明涉及一種用于根據(jù)原子層沉積(ALD的原理來處理基板的裝置。在本申請(qǐng)中,術(shù)語ALD的意思是實(shí)現(xiàn)ALD原理的原子層晶體取向生長(ALE)和其它類似名稱的方法。原子層沉積裝置通常包括真空腔室,基板在該真空腔室內(nèi)部處理。單獨(dú)的處理腔室也可以布置在真空腔室內(nèi)部,這樣,基板裝入反應(yīng)腔室內(nèi)和在反應(yīng)腔室中處理。基板的裝載可以人工進(jìn)行,或者通過裝載裝置(例如裝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。