技術(shù)編號(hào):8982225
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即,絕緣柵雙極型晶體管。已有的變頻器在使用單管IGBT時(shí),IGBT、整流橋一般都貼在散熱器頂面,這樣會(huì)造成以下幾個(gè)問(wèn)題1、IGBT貼在散熱器頂面時(shí),引腳需要做折彎,多出了一步工藝,并且折彎過(guò)程中容易造成IGBT損壞;2、IGBT貼在散熱器頂面時(shí),固定IGBT和整流橋時(shí),需要在PCB上開(kāi)出螺絲孔,等于減小了 PCB面積,特別是多個(gè)IGBT同時(shí)在散熱器頂面,可能會(huì)直接增大設(shè)備尺寸;...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。