技術(shù)編號:8992265
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及化學(xué)氣相沉積裝置,尤其涉及可應(yīng)用在該沉積裝置中的晶片托盤。背景技術(shù)許多半導(dǎo)體器件通過在襯底上外延生長半導(dǎo)體材料形成。該襯底通常為圓片形式的結(jié)晶材料,通常稱作“晶片”。例如,由諸如II1-V族半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體形成的器件通常通過采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)來生長化合物半導(dǎo)體連續(xù)層而形成。在該工藝中,晶片暴露于氣體組合物中,通常包括金屬有機(jī)化合物以及V族元素源,該氣體組合物在晶片被保持在升高溫度的同時從晶片的表面流過。II1-V族半導(dǎo)...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。