技術(shù)編號(hào)：9037490
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(簡(jiǎn)稱MOCVD)是制備混合半導(dǎo)體器件、金屬、及金屬氧化物薄膜材料的一種技術(shù)。加熱系統(tǒng)是MOCVD設(shè)備的重要組成部分，它能否快速、均勻加熱襯底，直接影響薄膜沉積的質(zhì)量、厚度一致性，以及芯片的性能，傳統(tǒng)的MOCVD存在因加熱器問(wèn)題導(dǎo)致薄膜材料形成質(zhì)量差的問(wèn)題，而且傳統(tǒng)的加熱器的使用壽命短，需要定期更換，使用不便。實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積的均勻加熱，升降溫過(guò)程中溫度均勻，能夠生...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。