技術(shù)編號(hào)：9201473
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、RFID等應(yīng)用領(lǐng)域的興起，大批量的無線傳感節(jié)點(diǎn)被廣泛應(yīng) 用。這類節(jié)點(diǎn)的典型特點(diǎn)是需求數(shù)量大、系統(tǒng)體積小、性能要求低、功耗要求極高。在這類 節(jié)點(diǎn)中，存儲(chǔ)器占去了很大比例的功耗，因此降低存儲(chǔ)器的功耗對(duì)整機(jī)功耗的降低有很大 幫助。SRAM作為常用的存儲(chǔ)器，被廣泛地研究。為了最大程度地降低功耗，近亞閾值的設(shè)計(jì) 開始興盛起來。 任意管子每次操作消耗的功耗為 其中PtransistOT·，Pdyn，Psh()rt，P leak分別對(duì)應(yīng)每個(gè)管子每...
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