技術(shù)編號(hào)：9212932
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體工業(yè)中，磁控濺射沉積技術(shù)作為制造薄膜的重要手段之一，被廣泛應(yīng)用在銅互連線技術(shù)、封裝領(lǐng)域中的硅穿孔技術(shù)等的工藝領(lǐng)域中。在實(shí)際應(yīng)用中，通常需要采用較高的腔室壓力進(jìn)行濺射沉積工藝，以獲得低應(yīng)力的薄膜，從而避免因薄膜應(yīng)力過高而對(duì)基片產(chǎn)生不良影響。然而，較高的腔室壓力會(huì)導(dǎo)致自靶材濺射出的粒子的自由程減小，造成沉積在基片邊緣區(qū)域上的粒子數(shù)量較少，從而使獲得的薄膜厚度的均勻性較差。圖1為現(xiàn)有的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，磁控濺射設(shè)備包括磁控濺射腔室10...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。