技術(shù)編號(hào):9218679
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。硅基II1-V族晶體管能利用更高的迀移率在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下獲得較高的驅(qū)動(dòng)電流,使其處理速度比以往高三倍,或者使其功耗降低到原來(lái)的1/10,這有利于高頻、低功耗器件的獲得。但是,硅與II1-V族材料之間的晶格失配、熱膨脹系數(shù)失配和晶體結(jié)構(gòu)的不同,由此產(chǎn)生的位錯(cuò)導(dǎo)致兩者的異構(gòu)集成變得困難。通過(guò)垂直生長(zhǎng)II1-V族納米線,可以減小與硅的接觸面積,而且納米線能從上表面和側(cè)面兩個(gè)維度釋放晶格失配的應(yīng)力和熱失配。因此,高晶體質(zhì)量的InGaAs納米線不需要緩沖層可以無(wú)位...
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