技術(shù)編號(hào)：9236785
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。超高速超高密度的存儲(chǔ)材料和器件是構(gòu)造平板電腦、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品必不可少的部件。目前新型的記憶存儲(chǔ)器件利用材料在不同的外加電場(chǎng)下，改變載流子(電子或空穴)的狀態(tài)，器件呈現(xiàn)出兩種不同的電阻狀態(tài)(高電阻與低電阻)，因而實(shí)現(xiàn)了信息的存儲(chǔ)。這類新型記憶存儲(chǔ)器件具有構(gòu)造工藝簡(jiǎn)單、存儲(chǔ)密度高、讀寫(xiě)時(shí)間快等優(yōu)點(diǎn)，成為材料學(xué)、微電子與半導(dǎo)體等領(lǐng)域的新熱點(diǎn)之一。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，具有存儲(chǔ)效應(yīng)的新材料越來(lái)越受到人們的重視。這類具有存儲(chǔ)效應(yīng)的無(wú)機(jī)或有機(jī)材料在外加的不同電場(chǎng)下，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。