技術編號:9255490
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著現(xiàn)今半導體及光電產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,組件線寬越來越小,電路面積越來越小,平坦化制程相應也變得日趨重要,而化學機械拋光(Chemical MechanicalPlanarizat1n ;CMP)由于能夠滿足半導體器件制程的高度平坦化的需求,因而得到了廣泛的應用。在進行化學機械拋光的過程中,拋光設備中的拋光墊(也稱研磨墊)表面的空洞能夠均勻含養(yǎng)拋光漿(slurry)以使拋光漿與被拋光的晶片的拋光面進行化學反應,同時拋光墊表面的纖毛會與晶片磨擦,經(jīng)由化學力與機械...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。