技術(shù)編號(hào)：9262263
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。MTM反熔絲工藝通常應(yīng)用于FPGA和PROM類電子產(chǎn)品，這類電路具有靈活性好，保密性強(qiáng)、抗輻射性能優(yōu)異等特點(diǎn)，有著廣泛的應(yīng)用。MTM反熔絲開關(guān)構(gòu)建在兩層金屬之間，這就是所謂的MTM反熔絲。該反熔絲材料由反熔絲介質(zhì)層和電介質(zhì)層構(gòu)成，反熔絲夾在頂層金屬(如金屬2)和用來連接的下層金屬(如金屬I)到頂層金屬的通孔(via-plug)之間。其主要的工作原理是采用大于反熔絲介質(zhì)擊穿電壓的編程電壓加在反熔絲的上下電極之間，在較短時(shí)間內(nèi)(毫秒級(jí))使反熔絲介質(zhì)薄膜擊穿，形...
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