技術編號：9262295
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在很多應用中，例如，與圖像信號處理器(ISP)堆疊的背面照光傳感器(BSI)Jf頻前端模塊片上系統(tǒng)(RF FEM S0C),3D集成的手機非易失存儲器(NVM)片上系統(tǒng)等，氧化物融合晶圓到晶圓鍵合是用于堆疊晶片形成3DIC的最重要且可行的方式之一。傳統(tǒng)的晶片間的互連是通過兩個硅通孔(TSV)垂直地連接堆疊的晶片中的每一個晶片(具體地，連接晶片上的合適的互連金屬層)，再通過一個橫向導電互連件連接兩個硅通孔。采用這一方法互連的半導體器件的結構如圖1所示，包括堆...
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