技術編號：9262314
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在DMOS(Doublediffused Metal Oxide Semiconductor雙擴散金屬氧化物半導體)晶體管例如為P溝道型的情況下，具有以雙擴散的方式形成位于半導體基板的第一方向側的面的低濃度的N型阱區(qū)和位于該N型阱區(qū)的第一方向側的面的高濃度的P型源極區(qū)的結構。該DM0S晶體管具有能夠處理大功率并且開關速度較快等特性。P溝道DM0S晶體管的主要的載流子為空穴，與N溝道DM0S晶體管的主要的載流子亦即電子相比迀移率較低。因此，存在P溝道DM0S...
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