技術編號：9284922
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 GaAsSb/GaAs量子阱在光電器件和電子器件中都有很大的應用潛力，這是 因為GaAsSb/GaAs量子阱的能帶結(jié)構(gòu)隨著Sb組分的增加有著巨大的變化。通過改變Sb組 分濃度不但可以調(diào)節(jié)能帶寬度，還可以調(diào)節(jié)量子講能帶排布在一型與二型之間轉(zhuǎn)換。 不同的能帶排布有著不同的物理性質(zhì)，這也是GaAsSb/GaAs量子阱吸引國內(nèi)外專家們?nèi)パ?究的主要原因之一。 由于As原子和Sb原子在薄膜生成的過程中不同的結(jié)合行為使混合熔源在 745°C時在 0.32〈x〈0. ...
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