技術(shù)編號(hào):9291804
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、邏輯裝置和類似的半導(dǎo)體裝置的縮放 (scaling)可能受限于柵極漏電流(Jg)。例如,當(dāng)縮放柵極介電層的厚度時(shí),溝道與晶體管 裝置的柵極之間可能造成漏電,導(dǎo)致裝置失效。將氮并入柵極介電層,可減少柵極漏電流。 例如,32nm節(jié)點(diǎn)處的柵極介電層可包括氮氧化硅(SiON),其中氮的存在減少裝置中的柵極 漏電流。 通常,利用等離子體氮化工藝將氮并入柵極介電層,等離子體氮化工藝可減少柵 極漏電流,但會(huì)犧牲其它期望的特性,例如平...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。