技術(shù)編號：9305548
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在半導(dǎo)體制造過程中，一般會特別有一層光刻定義高阻區(qū)域，通過注入來制作多晶硅的高電阻。如圖1A至圖1B所示，是現(xiàn)有CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法各步驟中的結(jié)構(gòu)不意圖；現(xiàn)有CMOS工藝中多晶娃電阻的制造方法包括步驟如圖1A所示，在半導(dǎo)體襯底如硅襯底101表面形成場氧層102，場氧層102隔離出有源區(qū)，有源區(qū)即為通過場氧層102圍繞的硅區(qū)域，用于形成有源器件，如CMOS工藝中的NMOS器件和PMOS器件都形成于有源區(qū)中。之后在娃襯底101表面依次形成柵介質(zhì)層...
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