技術(shù)編號(hào)：9305628
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶片的工藝中，形成于在晶粒(或稱晶片)中的集成電路需要測(cè)試其功能性、程序完整性、裝置特性以及可靠性等。圖1顯示一傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶片10的上視圖，其半導(dǎo)體晶片10包括多個(gè)晶粒12形成于半導(dǎo)體晶片10上的晶粒區(qū)域14，而半導(dǎo)體晶片10上的其他區(qū)域則定義為切割區(qū)域16。此外，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶片10中，用以測(cè)試晶粒中集成電路的測(cè)試電路18亦形成于晶粒區(qū)域14內(nèi)的晶粒中。然而，測(cè)試電路18被嵌入至晶粒中會(huì)增加晶粒的尺寸大小，換句話說，晶粒區(qū)域可提供給主要...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。