技術(shù)編號：9308415
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 非晶（非晶質(zhì)）氧化物半導(dǎo)體薄膜，與通用的非晶硅（a-Si)相比具有高載流子迀 移率，光學(xué)帶隙大，能夠以低溫成膜，因此期待其面向要求大型/高分辨率/高速驅(qū)動的下 一代的顯示器、耐熱性低的樹脂基板等的應(yīng)用。 氧化物半導(dǎo)體薄膜之中，特別是由銦（In)、鎵（Ga)、鋅（Zn)和氧構(gòu)成的非晶氧 化物半導(dǎo)體薄膜（In-Ga-Zn-0,以下有稱為"IGZ0"的情況。），因為具有非常高的載流 子迀移率，所以優(yōu)選使用。例如在非專利文獻(xiàn)1和2中，公開的是將InGaZn= 1...
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