技術編號：9321367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。GaN是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列，它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700°C ；GaN具有高的電離度，在III一V族化合物中是最高的；在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構；它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半；又因為其硬度高，是一種良好的涂層保護材料。GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前...
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