技術編號：9328704
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。絕緣柵雙極晶體管是兼有高輸入阻抗和低導通壓降的復合全控型電壓驅動式功率半導體，非常適合于高電壓的變流系統，如交流電機、變頻器、牽引傳動等領域。IGBT封裝材料要求具備優(yōu)異的力學性能、電氣絕緣特性、阻燃特性、耐老化特性及耐熱特性，對IGBT的封裝材料不要求具備其導熱散熱性，因此I GBT模塊基本依賴于底部的散熱器進行散熱，因此，其散熱效率是非常低下的，現有技術中對I GBT的散熱設計主要研究對象是對I GBT的散熱器進行研究，而本發(fā)明的研究對象是針對I GB...
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