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隨著集成電路的發(fā)展，芯片特征尺寸不斷縮小，單個(gè)芯片上集成度隨之提高，由此帶來(lái)的功耗問(wèn)題也愈發(fā)嚴(yán)重。據(jù)ITRS數(shù)據(jù)顯示，特征尺寸縮小到32nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，功耗會(huì)是預(yù)計(jì)趨勢(shì)的8倍，即隨著特征尺寸的逐步縮小，傳統(tǒng)MOS器件就功耗方面將不能滿足性能需求。除此之外，MOSFET尺寸的減小面臨室溫下亞閾擺幅最小為60mv/decade的限制。然而基于量子隧穿效應(yīng)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFET與MOSFET相比，不受該亞閾擺幅的限制，并且可以有效的降低功耗。對(duì)于TFET來(lái)說(shuō)，如...
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