技術(shù)編號：9377749
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在半導(dǎo)體中，在20nm及以下技術(shù)節(jié)點中，出于間隙填充和器件性能的 考慮，半導(dǎo)體器件中的柵極的材料將由鎢（W)取代鋁（A1)。鎢柵極CMP被用于形成金屬 柵極結(jié)構(gòu)。隨著關(guān)鍵尺寸的縮小，在采用自對準(zhǔn)工藝形成接觸孔（CT)時，如果發(fā)生誤對準(zhǔn) (mis-alignment)，將導(dǎo)致接觸孔與鶴柵極發(fā)生橋接的可能性增大。為避免上述問題，通常 在通過CMP形成鎢柵極的步驟之后，對鎢柵極進(jìn)行回刻蝕（etch back)工藝，然后沉積氮化 硅薄膜并對氮化硅（SiN)薄膜進(jìn)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。