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技術(shù)編號(hào)：9377757

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在下一代集成電路的制造工藝中，對(duì)于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)的柵極的制作，通常采用高k_金屬柵工藝。對(duì)于具有較高工藝節(jié)點(diǎn)的晶體管結(jié)構(gòu)而言，所述高k_金屬柵工藝通常為后柵極工藝，其典型的實(shí)施過程包括首先，在半導(dǎo)體襯底上形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵極結(jié)構(gòu)由自下而上層疊的界面層、高k介電層、覆蓋層(capping layer)和犧牲柵電極層構(gòu)成；然后，在所述偽柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成柵極間隙壁結(jié)構(gòu)，之后去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)中的犧牲柵電極層，在所述柵極間隙壁結(jié)構(gòu)之間留下...
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