技術(shù)編號：9377794
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 由于具有較佳的放大特性和頻率特性，器件面積可獲大幅度降低，多晶硅發(fā)射極 的垂直NPN(VNPN)晶體管應(yīng)用越來越廣泛。 在應(yīng)用中，常常要求多晶硅發(fā)射極的VNPN晶體管具有較好的低頻噪聲特性。發(fā)明內(nèi)容 基于此，有必要提供一種能夠改善多晶硅發(fā)射極的VNPN晶體管在低頻下的噪聲 特性的多晶硅發(fā)射極VNPN晶體管的制造方法。 -種多晶硅發(fā)射極垂直NPN晶體管的制造方法，包括下列步驟在晶圓上形成集 電區(qū)和基區(qū)；淀積絕緣介質(zhì)層；在絕緣介質(zhì)層上光刻并刻蝕出發(fā)射區(qū)域；淀...
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