技術(shù)編號：9378204
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體制造，具體而言，涉及一種。背景技術(shù)非揮發(fā)性存儲器是指芯片在沒有供電的情況下，數(shù)據(jù)仍能被保存而不會被丟失。這種器件的數(shù)據(jù)寫入或擦寫都需要有電流通過一層厚度僅為幾納米的氧化硅介質(zhì)，因此需要較高的操作電壓(?20V)及較長的時(shí)間(微秒級)。張衛(wèi)等人最新提出將隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)和浮柵器件結(jié)合起來，從而構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)的器件，如圖1所示，該器件被稱為“半浮柵晶體管” (Sem1-Floating gate transistor...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。