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一種vdmos晶體管結(jié)構(gòu)及其制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):9378206

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垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDM0SFET,以下簡(jiǎn)稱(chēng)VDMOS )是具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性聞、開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體功率器件,在電機(jī)調(diào)速、工業(yè)控制、汽車(chē)電器等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中VDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖,其結(jié)構(gòu)形成在N型襯底100上,襯底包括介質(zhì)埋層110 ;外延層120位于襯底之上;上半部分金屬420接出源極,金屬430接出柵極,襯底金屬410接出漏極;源極區(qū)域,由P摻雜的阱和N型摻雜的源區(qū)組成,兩次...
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