技術編號:9378465
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。專利說明 本發(fā)明涉及一種。背景技術二硫化錫(SnS2)屬于IV VI族二元化合物,具有0(112型的層狀結構。這種結構單元是由兩層六方密堆積的硫離子中間加入錫離子的三明治結構(S-Sn-S)組成的,每個錫離子周圍有六個硫離子形成正八面體配位,即硫離子采取AB AB六方密堆積,而金屬錫離子置于兩層的硫離子之間,層內(nèi)為共價鍵結合,層與層之間存在弱的范德華力。SnSd^這種層狀結構中存在很多晶格空位,可作為“插層”的主體晶格。這種結構上的優(yōu)越的柔韌性使它能作為基...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。