技術(shù)編號(hào):9398264
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在以往的具有pn結(jié)的太陽(yáng)能電池單元的制造中,例如在娃等η型半導(dǎo)體基板上擴(kuò)散P型雜質(zhì)而形成P型擴(kuò)散層,由此形成pn結(jié)。尤其是作為以提高轉(zhuǎn)換效率為目的的太陽(yáng)能電池單元的結(jié)構(gòu),已知有使電極正下方以外的部分的區(qū)域中的雜質(zhì)濃度比電極正下方的雜質(zhì)濃度低的選擇性發(fā)射極(selective emitter)結(jié)構(gòu)(參照例如 L.Debarge, M.Schott, J.C.Muller, R.Monna、SolarEnergy Materials&Solar Cel...
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