技術(shù)編號：9422882
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。近來，已經(jīng)提出了使用有時被稱為位成本可擴展(BiCS)架構(gòu)的3D堆疊式存儲結(jié)構(gòu)的超高密度非易失性存儲設備。例如，3D NAND堆疊式存儲設備可以由交替的導電層和介電層的陣列形成。在這些層中可以鉆有存儲孔以同時限定很多存儲層。然后可以通過使用適當?shù)牟牧咸畛浯鎯讈硇纬蒒AND串。直的NAND串在一個存儲孔中延伸，而管狀或U形NAND串(P-BiCS)包括一對存儲單元的豎直列，所述豎直列在兩個存儲孔中延伸并且通過底部背柵而被接合。存儲單元的控制柵極由導電層提供...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。