技術(shù)編號：9454493
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。對晶片表面進行去蠟操作時，采用加熱去蠟的方式容易存在晶片受熱不均現(xiàn)象，導致受熱面去蠟效果明顯好于非受熱面，使得晶片表面蠟不能徹底去除，影響其正常使用。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種旋轉(zhuǎn)式晶片去蠟設(shè)備，能改善現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，通過采用相對可以轉(zhuǎn)動的端蓋結(jié)構(gòu)，并采用環(huán)向排布的滑塊結(jié)構(gòu)，同時在中部和側(cè)壁上安裝加熱設(shè)備，實現(xiàn)中部和側(cè)面同時進行加熱去蠟。本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn) 一種旋轉(zhuǎn)式晶片去蠟設(shè)備，由下向上依次包括儲蠟腔體、加熱倉和轉(zhuǎn)動端蓋，在所述的加熱...
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