技術(shù)編號(hào)：9454499
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。—個(gè)完整的功率半導(dǎo)體器件需要經(jīng)過(guò)多次重復(fù)氧化、擴(kuò)散、薄膜淀積、光刻和刻蝕等步驟才能制得。功率半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中，光刻是一個(gè)重要的工藝流程，其通過(guò)涂膠和曝光將設(shè)計(jì)的圖形通過(guò)光刻膠層復(fù)制到硅片上。—般通過(guò)第一次光刻和刻蝕在硅片上形成功率半導(dǎo)體器件圖形的同時(shí)也形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記供后續(xù)光刻對(duì)準(zhǔn)使用，從第二次光刻開(kāi)始每次光刻需要與前層對(duì)準(zhǔn)。而每經(jīng)過(guò)一次工藝步驟，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記都會(huì)受到影響，如對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記尺寸改變、圖形分辨率降低、臺(tái)階差減小、對(duì)比度降低、圖形煙沒(méi)甚至消失等。光刻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。