技術(shù)編號(hào)：9472882
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，例如涉及可被應(yīng)用到具有可電重寫的非易失性存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件的有效技術(shù)以及其制造技術(shù)。公開號(hào)為2006-49737的日本未審查專利公開(專利文獻(xiàn)I)描述了用于去除層壓絕緣膜(0N0膜)的被暴露的部分的技術(shù)，該層壓絕緣膜(0N0膜)包括在上層中的氧化硅膜；在氧化硅膜之下的層中的氮化硅膜；以及在氮化硅膜之下的層中的氧化硅膜。專利文獻(xiàn)I還描述了被布置在存儲(chǔ)器單元部分中的元件隔離區(qū)域的布局。本文中，專利文獻(xiàn)I描述了在存儲(chǔ)器柵極電極與元件隔離區(qū)域彼此交叉的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。