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自對準(zhǔn)分離柵閃存的形成方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:9507373

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閃存是一種重要的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器。閃存具有存儲密度高,成本低,可靠性好等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、手機、通訊等方面。閃存基本原理是通過對閃存的浮柵上電荷(電子)的注入與擦除來改變存儲單元的開關(guān)狀態(tài),以達(dá)到存儲數(shù)據(jù)的目的。從架構(gòu)的基本分類來說閃存分為NAND與N0R兩種。NAND更適用于海量數(shù)據(jù)存儲,要求存儲單元高密度,低成本;N0R更適用于程式存儲,要求隨機可讀,高速讀取,在MCU (微控制器)的應(yīng)用中直接與微處理器交換信息,本案適用于N0R型閃存的...
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