技術編號：9525626
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 由于銅能夠提供的快速度，在半導體器件中將銅用作導電互連材料是有利的。通 過使用鑲嵌處理技術形成銅互連結構，其中，在介電層中形成開口，在開口內沉積銅，然后 拋光/平坦化工藝用于去除介電層上方的銅，從而留下嵌入在開口內的銅。然而，銅擴散穿 過介電材料，所以銅互連結構必須由擴散阻擋層封裝。否則介電層中的擴散的銅金屬可能 導致互連結構之間的電流泄漏。擴散阻擋層通常包括耐熱材料。用于阻擋層的典型的耐熱 材料包括鉭（Ta)、氮化鉭（TaN)、鈦（Ti)和氮化鈦（Ti...
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