技術(shù)編號:9541523
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposit1n,金屬有機化合物氣相沉積)是利用金屬有機化合物進行金屬運輸?shù)囊环N半導(dǎo)體氣相外延技術(shù),現(xiàn)已成為光電器件的主要生產(chǎn)手段。在M0CVD工藝過程中,為了保證沉積薄膜的均勻性,對基片受熱時的溫度場的均勻性有較高的要求,同時,為了能夠批量生產(chǎn),通常會在反應(yīng)腔內(nèi)放置多層托盤以能夠同時對多個基片進行M0CVD工藝?,F(xiàn)有的一種M0CVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)如圖1所示,反應(yīng)腔1的外部設(shè)置有電感線圈...
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