技術(shù)編號：9560837
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 化合物薄膜以各種方式用作半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體集成電路、化合物半導(dǎo)體、太陽能 電池、液晶顯示器（LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)等的柵極電介質(zhì)膜或金屬間阻隔膜，用作 保護(hù)膜，以及用作防止與周圍材料化學(xué)反應(yīng)的掩膜等。因此，隨著半導(dǎo)體集成電路器件日益 縮小然而具有更復(fù)雜的形狀，涂覆具有高度階梯結(jié)構(gòu)的均勻薄膜已經(jīng)作為重要技術(shù)引起關(guān) 注。因此，目前，用于改善薄膜特性的原子層沉積（ALD)已經(jīng)廣泛用于各種領(lǐng)域中。 ALD是使用化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的加工技術(shù)，其中氣相反...
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