技術(shù)編號：9580565
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)地發(fā)展，進入到更小的特征尺寸階段，例如65nm、45nm及以下技術(shù)節(jié)點，業(yè)內(nèi)逐步開始采用了浸沒式光刻工藝。在浸沒式曝光工藝后，水滴會存在于光刻膠(PR)表面。然后，在水滴干燥工藝過程中，光刻膠或者其中的頂部涂層殘留將覆蓋光刻膠表面，并形成圓圈狀的缺陷，稱為水印缺陷(water mark)。一般地，應(yīng)用浸沒式曝光后清洗(PIR，Post Immers1n Rinse)工藝能夠減少上述水印缺陷。圖1-1至圖1-6為現(xiàn)有技術(shù)中的一種浸沒式曝...
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