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技術(shù)編號：9634860

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原子層沉積法(ALD)技術(shù)具有與代表性的薄膜沉積技術(shù)的化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)相比優(yōu)秀的優(yōu)點。大部分的ALD工藝是可在400°C以下的低溫工藝下進(jìn)行，而可以以原子單位沉積薄膜，因此可以精確控制薄膜。并且，其雜質(zhì)含量較低并幾乎沒有針孔?，F(xiàn)有ALD工藝主要被用于在柵極介電層、電容器介電層等中形成精密薄膜的工藝。但近來提出通過采用流化床原子層沉積法來能夠?qū)哂腥S結(jié)構(gòu)的各種納米結(jié)構(gòu)體進(jìn)行納米級的涂層(以下稱為“納米涂層”)方案。對所述方案進(jìn)...
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