技術(shù)編號(hào):9647707
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于娃通孔(Through-Silicon Via,TSV)的三維集成電路極大地推動(dòng)了集成電路行業(yè)的發(fā)展。與傳統(tǒng)的二維集成電路不同,三維集成電路通過(guò)TSV把多個(gè)晶片垂直堆疊,使得它擁有功耗低、帶寬高、面積小、性能好、支持異構(gòu)集成等優(yōu)點(diǎn)。據(jù)估計(jì),基于TSV垂直互連的三維集成電路功耗降低50%,帶寬提高8倍,堆疊存儲(chǔ)器縮小35%。當(dāng)前TSV的制造工藝還不成熟,TSV可能存在微孔和針孔缺陷,這些缺陷導(dǎo)致TSV產(chǎn)生電阻開(kāi)路故障和泄漏故障,嚴(yán)重降低了三維集成電路的良...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。