技術(shù)編號：9650719
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。傳統(tǒng)晶體管器件通常會遇到因傳導(dǎo)損耗及開關(guān)損耗之某種程度的晶體管功率消耗。當(dāng)晶體管在較高的頻率操作時，降低開關(guān)損耗變得更加重要。此外，在硬性開關(guān)電路中，每一開關(guān)循環(huán)中對輸出電容器充電或放電影響晶體管器件之功率消耗。輸出電容(“Coss”)為柵極-漏極電容和源極-漏極電容之總和。圖1示意性說明傳統(tǒng)氮化鎵晶體管之Coss對漏極-源極電壓的曲線，如虛線所示。圖2(a)描繪當(dāng)漏極-源極電壓于0伏特時之傳統(tǒng)氮化鎵晶體管101的剖面圖。如圖所示，氮化鎵晶體管101包括襯...
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