技術(shù)編號:9682731
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。形核源技術(shù)是高效多晶鑄錠技術(shù)的應(yīng)用基礎(chǔ),主要是通過在坩堝底部鋪設(shè)一些形核材料,硅液熔化后在形核材料上形核。目前全熔技術(shù)坩堝底部鋪有顆粒形核源,但是在形核初期硅晶體不僅在誘導(dǎo)的形核源的基礎(chǔ)上形核,而且在形核顆粒間隙的氮化硅涂層也會形核,而在氮化硅上形核的硅晶體位錯等缺陷較多,影響了整體的鑄錠質(zhì)量。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此,本發(fā)明提供了一種聞效多晶鑄徒晶體生長方法,能夠有效提聞多晶鑄錠質(zhì)量。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案,包括步驟S1鋪設(shè)形核材料、S2填料和S...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。